品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB037N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB037N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900,"23+":8659}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18512Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7120pF@20V
连续漏极电流:211A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7446TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3174pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4227PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@46A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4227PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@46A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9321TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB037N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4227PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@46A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":175,"22+":31,"23+":7244}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4227PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@46A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":175,"22+":31,"23+":7244}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4227PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@46A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBL050N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:305W
阈值电压:4V@4.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.88nF@400V
连续漏极电流:49A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6346,"22+":2251,"23+":930,"MI+":1924}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBL050N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:305W
阈值电压:4V@4.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.88nF@400V
连续漏极电流:49A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: