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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 113nC@10V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:40+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订46个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订46个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.2V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6990pF@12V

    连续漏极电流:380A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.57mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":6952,"MI+":970}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2018LFK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2018LFK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4748pF@10V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G110N06K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G110N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.538nF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS001N06CTXG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS001N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€244W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8705pF@30V

    连续漏极电流:53.7A€376A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.91mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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