品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"31+":3363}
包装规格(MPQ):78psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8117pF@12V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8117pF@12V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"31+":3363}
包装规格(MPQ):78psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"31+":3363}
包装规格(MPQ):78psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
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输入电容:8117pF@12V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR60-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8117pF@12V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"31+":3363}
包装规格(MPQ):78psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"31+":3363}
包装规格(MPQ):78psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€187W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12300pF@15V
连续漏极电流:59A€409A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":594}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D7N03CGT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:0.65mΩ@30A,10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@280µA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:12300pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:59A€409A
功率:4W€187W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: