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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 52nC@10V
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:385
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2935}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@15V

    连续漏极电流:19A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:393
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4.6V@136µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@75V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:204
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0500NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0500NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0500NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@15V

    连续漏极电流:35A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86569-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86569-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
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