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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
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规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
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包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
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集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
栅极电荷：55nC
集电极截止电流(Ices)：600V
关断延迟时间：145ns
ECCN：EAR99
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
栅极电荷：55nC
集电极截止电流(Ices)：600V
关断延迟时间：145ns
ECCN：EAR99
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
包装清单：商品主体 * 1
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