采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10697，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：981，"9999"：637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20946，"21+"：57791，"22+"：2314，"23+"：2770，"MI+"：18002}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20946，"21+"：57791，"22+"：2314，"23+"：2770，"MI+"：18002}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：203，"20+"：211}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2498-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：3.4nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK50N85X
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：5.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4480pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@500mA，10V
漏源电压：850V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N08-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9415pF@25V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
