品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4790}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":981,"9999":637}
销售单位:个
规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W€3.8W
阈值电压:3.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.9nF@20V
连续漏极电流:54A€440A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4295}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT020N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:273W
阈值电压:3.8V@202µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:31A€260A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4295}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT020N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:273W
阈值电压:3.8V@202µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:31A€260A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4790}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W€3.8W
阈值电压:3.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.9nF@20V
连续漏极电流:54A€440A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":203,"20+":211}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2498-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:3.4nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4790}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK50N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:5.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4480pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: