品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@12V
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:650mA
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@12V
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:650mA
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@12V
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:650mA
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K357R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@12V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: