采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX24N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@12A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7268，"20+"：13700，"23+"：8000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N10S403AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.9W€205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9230pF@25V
连续漏极电流：65A€420A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1447，"22+"：4900，"23+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：50，"23+"：1200，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4610PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：50，"23+"：1200，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4610PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：50，"18+"：4711，"19+"：10250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFB4610
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.9W€205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9230pF@25V
连续漏极电流：65A€420A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4949}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA28N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：28.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@14.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75P04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：9.7mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4949}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA28N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：28.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@14.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：52515，"9999"：497，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N03S4L03AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9750pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
