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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3002LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€136W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@15V

    类型:N沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI70N12S3L12AKSA1 起订386个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI70N12S3L12AKSA1 起订386个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":19000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI70N12S3L12AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7107TR 起订295个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7107TR 起订295个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1812,"17+":4938,"18+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7107TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3001pF@25V

    连续漏极电流:14A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@45A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N12S311ATMA1 起订329个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N12S311ATMA1 起订329个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":667,"22+":6544}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N12S311ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PSMN070-200P,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN070-200P,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN070-200P,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4.57nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI70N12S3L12AKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI70N12S3L12AKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":19000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI70N12S3L12AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S3L12ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S3L12ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N10S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC019N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.3V@74µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N12S3L12ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N12S3L12ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1674}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N12S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5301TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5301TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€110W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5114pF@15V

    连续漏极电流:35A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC019N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.3V@74µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7172DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC019N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.3V@74µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@15V

    类型:N沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S3L12ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S3L12ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N10S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N12S3L12ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N12S3L12ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1674}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N12S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@15V

    类型:N沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7172DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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