品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@30V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1213}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N06S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13150pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STB75NF75T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2807STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@43A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N06S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13150pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@30V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@30V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:37.1A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@9.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E180ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):STB75NF75T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:9.75nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2807STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@43A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: