采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1455，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN120ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
阈值电压：2.7V@250µA
功率：513mW€6.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
漏源电压：60V
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
输入电容：465pF@15V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
阈值电压：2.7V@250µA
功率：513mW€6.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
漏源电压：60V
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
