采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPF50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA140P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@70A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA140P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@70A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN80N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：6.5V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@40A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA140P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@70A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80，"19+"：14}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPF50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA140P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@70A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3370}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60DM206
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.7V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6530pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN80N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：6.5V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@40A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：200nC@10V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：6.25W€104W
连续漏极电流：81.7A€100A
ECCN：EAR99
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3370}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60DM206
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.7V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6530pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3370}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60DM206
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.7V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6530pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3370}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60DM206
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.7V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6530pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPF50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
