采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA462DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：260，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0904NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：20A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3121}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0909NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：9A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0909NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：9A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF680N10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0904NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：20A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：3.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0904NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：20A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15038}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.2W
阈值电压：3.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：3.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ040N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€37W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"22+"：5000，"23+"：9186}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：107400，"21+"：1065，"22+"：863，"9999"：1367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6016LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：19268}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
