采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
导通电阻：35mΩ@10V，5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：350pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
