采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.5V@73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@40V
连续漏极电流：16A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80ZL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：50000，"MI+"：12686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.5V@73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@40V
连续漏极电流：16A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.5V@73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@40V
连续漏极电流：16A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@30V
连续漏极电流：25.5A€92.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000，"22+"：8000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI13N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.5V@73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@40V
连续漏极电流：16A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：6834}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€48.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：11.7A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@30V
连续漏极电流：25.5A€92.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50C
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€114W
阈值电压：3.5V@73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@40V
连续漏极电流：16A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
