品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS6D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A€71A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ24NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@7.8A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1179pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.02mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS6D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A€71A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":207,"19+":1000,"22+":16400,"9999":290}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFZ24NS
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€45W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17480}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@30V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:81mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1179pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.02mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: