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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 21nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@43µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1191,"23+":81}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:127
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4731,"21+":5201}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:893
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:4.2A€5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86102LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@50V

    连续漏极电流:8.3A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":23400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86102LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@50V

    连续漏极电流:8.3A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:175
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ068N06NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ068N06NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":867,"21+":3246}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ068N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€46W

    阈值电压:3.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:704
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":747,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@43µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:4.2A€5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCD1300N80Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD1300N80Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD1300N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.5V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":747,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC066N06NSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC066N06NSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC066N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€46W

    阈值电压:3.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC066N06NSATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC066N06NSATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC066N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€46W

    阈值电压:3.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@20V

    连续漏极电流:3.1A€4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1335pF@75V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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