采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"21+"：1600，"9999"：711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"21+"：1600，"9999"：711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"21+"：1600，"9999"：711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：130A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
导通电阻：15mΩ@50A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：50A
输入电容：1440pF@50V
功率：91W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
导通电阻：15mΩ@50A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：50A
输入电容：1440pF@50V
功率：91W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
