品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6775MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1411pF@25V
连续漏极电流:4.9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@5.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6775MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1411pF@25V
连续漏极电流:4.9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@5.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3366pF@15V
连续漏极电流:11A€67A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ14N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D43-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":565,"22+":51193,"23+":1649,"24+":2081}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6775MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1411pF@25V
连续漏极电流:4.9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@5.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65C
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6775MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1411pF@25V
连续漏极电流:4.9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@5.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6674TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:3.6W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:13.4A€67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@13.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":33,"21+":500,"24+":2860,"9999":88}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R250CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@520µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1420pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":985}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI8N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1255pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: