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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 63nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:70+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4909DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4909DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:27mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB52N20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.45V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@10V

    连续漏极电流:159A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.45V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@10V

    连续漏极电流:159A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.45V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@10V

    连续漏极电流:159A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.45V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@10V

    连续漏极电流:159A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.45V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@10V

    连续漏极电流:159A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB52N20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18511Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.45V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@10V

    连续漏极电流:159A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:7.5A€8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:7
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