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    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":30040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG330P 起订807个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG330P 起订807个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):807psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订9000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订9000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订21000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订21000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2408

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:782pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2408

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:782pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3413_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3413_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3413_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:522pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订15000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订15000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C466NLTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C466NLTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C466NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C025TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2408

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:782pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2408 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2408

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:782pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2075UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C025TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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