采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N60APBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4354
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP147N12N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6792
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€48W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3110pF@15V
连续漏极电流：44A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2754pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：450，"17+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2754pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：700，"13+"：3300，"17+"：5629，"9999"：50，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14603，"15+"：5155}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI147N12N3GAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@12V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@12V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@56A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
