采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：588000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：750，"09+"：18000，"10+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：35765，"16+"：7725}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4969N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：857pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VNEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@6V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VNEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@6V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VNEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@6V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VNEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@6V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
