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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 26nC@4.5V
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3709ZSTRRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3709ZSTRRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":340,"22+":2424,"24+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3709ZSTRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3709ZTRPBF 起订405个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3709ZTRPBF 起订405个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1444,"23+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3709ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@15V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:405
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3709ZSTRRPBF 起订467个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3709ZSTRRPBF 起订467个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":340,"22+":2424,"24+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3709ZSTRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:467
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3709ZTRRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3709ZTRRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3709ZTRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@15V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3709ZSTRRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3709ZSTRRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":340,"22+":2424,"24+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3709ZSTRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA24DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:26nC@4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:2650pF@10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:60A

    功率:52W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:26nC@4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:2650pF@10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

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