采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3300CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
