品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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