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品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：129，"9999"：188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：12836，"9999"：107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640D-EPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：12315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP6650DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：50ns
关断损耗：630µJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，35A
导通损耗：300µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：12315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP6650DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：50ns
关断损耗：630µJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，35A
导通损耗：300µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：12836，"9999"：107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640D-EPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW15N120H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：1.55mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：75nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW15N120H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：1.55mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：75nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"9999"：200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGSL4640DPBF
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，24A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：0.6mJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
导通损耗：0.115mJ
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：12836，"9999"：107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640D-EPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：37，"9999"：175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640-EPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：105ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW15N120H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：1.55mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：75nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：12315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP6650DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：50ns
关断损耗：630µJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，35A
导通损耗：300µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：12315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP6650DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：50ns
关断损耗：630µJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，35A
导通损耗：300µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：12315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP6650DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：50ns
关断损耗：630µJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，35A
导通损耗：300µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：12836，"9999"：107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640D-EPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：12836，"9999"：107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4640D-EPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：104ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：600µJ
开启延迟时间：41ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：75nC
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，24A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW15N120H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：260ns
反向恢复时间：260ns
关断损耗：1.55mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：75nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW15N120H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：260ns
反向恢复时间：260ns
关断损耗：1.55mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：75nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：70A
类型：MOSFET
导通电阻：4.1mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW15N120H3FKSA1
开启延迟时间：21ns
类型：沟槽型场截止
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
关断延迟时间：260ns
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断损耗：1.55mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装方式：管件
栅极电荷：75nC
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：12315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP6650DPBF
反向恢复时间：50ns
导通损耗：300µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，35A
ECCN：EAR99
关断损耗：630µJ
集电极脉冲电流(Icm)：105A
开启延迟时间：40ns
关断延迟时间：105ns
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装方式：管件
栅极电荷：75nC
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：5000psc
规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ
阈值电压：3.5V
包装方式：Reel
功率：170W
连续漏极电流：70A
导通电阻：4.1mΩ
栅极电荷：75nC
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"9999"：200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGSL4640DPBF
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，24A
ECCN：EAR99
反向恢复时间：89ns
开启延迟时间：41ns
工作温度：-55℃~+175℃
关断损耗：0.6mJ
关断延迟时间：104ns
导通损耗：0.115mJ
栅极电荷：75nC
包装清单：商品主体 * 1
库存：
