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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2720GR-E1-A
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：2.8nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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类型：P沟道
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2720GR-E1-A
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：27nC@5V
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连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
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栅极电荷：27nC@5V
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输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
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功率：2.5W
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类型：P沟道
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库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
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功率：69W
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库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
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功率：69W
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
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功率：83W
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类型：P沟道
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
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功率：69W
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栅极电荷：27nC@5V
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连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
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功率：83W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：27nC@5V
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连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：27nC@5V
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库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
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栅极电荷：27nC@5V
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类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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栅极电荷：27nC@5V
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输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2720GR-E1-A
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：2.8nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
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栅极电荷：27nC@5V
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输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：8.4A€32A
类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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栅极电荷：27nC@5V
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输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
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栅极电荷：27nC@5V
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类型：P沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
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栅极电荷：27nC@5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
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功率：2.5W
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栅极电荷：27nC@5V
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
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栅极电荷：27nC@5V
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类型：P沟道
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库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
功率：69W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
功率：69W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
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类型：P沟道
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阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：2500}
规格型号(MPN)：UPA2720GR-E1-A
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：14A
栅极电荷：27nC@5V
类型：1个N沟道
导通电阻：6.6mΩ@7A，10V
输入电容：2.8nF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
