采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10875}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：459897}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48，"11+"：1000，"12+"：36100，"13+"：332，"15+"：2176，"16+"：0，"MI+"：877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：107W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48，"11+"：1000，"12+"：36100，"13+"：332，"15+"：2176，"16+"：0，"MI+"：877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：107W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：459897}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
