品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1847}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":18500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":666789}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP16N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB13AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10.9A€62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@62A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB13AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10.9A€62A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@62A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:136W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1315pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@30V
连续漏极电流:6.3A€42A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10110}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":35949,"12+":29297,"13+":13783,"14+":33100,"15+":1649,"16+":5000,"17+":150,"18+":16000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: