品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA653TT-E1-A
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
输入电容:175pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:165mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
功率:840mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.4nC@10V
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
类型:P沟道
输入电容:156pF@6V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: