品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2561T1H-T1-AT
功率:2.2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2561T1H-T1-AT
功率:2.2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18487}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN308P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:341pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":23,"13+":240,"15+":8502}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV56XN,215
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.92W
阈值电压:650mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:3.76A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: