品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:587pF@20V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N06S5L140ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: