采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4900}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1443-W
工作温度：150℃
功率：1W€19W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：490pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
