品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS008N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:102W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC
连续漏极电流:79A
类型:MOSFET
导通电阻:8mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
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关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
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规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
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关断延迟时间:70ns
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关断损耗:180µJ
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集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
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工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
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规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
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关断延迟时间:70ns
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集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
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工作温度:150℃
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库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
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规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
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栅极电荷:33nC
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工作温度:150℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS008N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:102W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC
连续漏极电流:79A
类型:MOSFET
导通电阻:8mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
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