品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2629,"07+":2421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQS6463R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
输入电容:2300pF@4V
栅极电荷:50nC@5V
类型:P沟道
阈值电压:800mV@250µA
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R8-60E,115
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7853pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:50nC@5V
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.1mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
输入电容:2300pF@4V
栅极电荷:50nC@5V
类型:P沟道
阈值电压:800mV@250µA
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3574,"04+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD32N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2629,"07+":2421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQS6463R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2629,"07+":2421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQS6463R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3574,"04+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD32N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: