采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2629，"07+"：2421}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQS6463R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
输入电容：2300pF@4V
栅极电荷：50nC@5V
类型：P沟道
阈值电压：800mV@250µA
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y4R8-60E，115
功率：238W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：50nC@5V
连续漏极电流：100A
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
输入电容：2300pF@4V
栅极电荷：50nC@5V
类型：P沟道
阈值电压：800mV@250µA
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：3574，"04+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2629，"07+"：2421}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQS6463R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2629，"07+"：2421}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQS6463R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：3574，"04+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
