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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4849NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€42.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@12V
连续漏极电流：10.2A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10066，"24+"：5573}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9186，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：97820，"07+"：27000，"08+"：41895，"10+"：18000，"11+"：34500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4837NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@12V
连续漏极电流：10A€74A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9186，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4849NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€42.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@12V
连续漏极电流：10.2A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10066，"24+"：5573}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
连续漏极电流：50A
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
ECCN：EAR99
输入电容：4.24nF@10V
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：10066，"24+"：5573}
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
阈值电压：2.3V@36µA
包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W€69W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
输入电容：3100pF@30V
漏源电压：60V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：97820，"07+"：27000，"08+"：41895，"10+"：18000，"11+"：34500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4837NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@12V
连续漏极电流：10A€74A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10066，"24+"：5573}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9186，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
