采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYA20N120B4HV
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：130A
关断延迟时间：200ns
反向恢复时间：47ns
关断损耗：1.6mJ
开启延迟时间：15ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：44nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYA20N120B4HV
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：130A
关断延迟时间：200ns
反向恢复时间：47ns
关断损耗：1.6mJ
开启延迟时间：15ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：44nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90.6A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3
导通电阻：4mΩ
包装方式：Reel
阈值电压：2V
栅极电荷：44nC
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：90.6A
ECCN：EAR99
功率：65.7W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYA20N120B4HV
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：130A
关断延迟时间：200ns
反向恢复时间：47ns
关断损耗：1.6mJ
开启延迟时间：15ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：44nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
