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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 0.9nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订834个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订834个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@20V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:18Ω@80mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":870}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订22个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订22个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@20V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:18Ω@80mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订22个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订22个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000,"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订16个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订16个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订75000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订75000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订16个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订16个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6433XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS123NH6327XTSA1 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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