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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.29mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020N06TL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    ROHM Mosfet场效应管 RS1L151ATTB1
    ROHM Mosfet场效应管 RS1L151ATTB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1L151ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KC5TCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L070ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8MC5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@30V€850pF@30V

    连续漏极电流:3A€3.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KW-TP
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KW-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L07BATTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L07BATTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L07BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:101W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.7mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KC5TCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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