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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:6.25W

    连续漏极电流:11.6A€9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:6.25W

    连续漏极电流:11.6A€9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@15V

    连续漏极电流:450mA€310mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3127CT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3127CT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":15228,"09+":2080578,"10+":216000,"9999":3497,"MI+":72000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3127CT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9pF@15V

    连续漏极电流:160mA€140mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1106
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2308-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC6A09DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1407pF@40V€1580pF@40V

    连续漏极电流:3.9A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:45mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1229UFDB-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1229UFDB-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1229UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@6V

    连续漏极电流:5.6A€3.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2308-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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