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    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3130NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3130NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3130NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:935pF@16V

    连续漏极电流:4.23A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI3400A-TP 起订15000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3400A-TP 起订15000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3400A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8816EDB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8816EDB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8816EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H060LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H060LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@50V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4003NT3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4003NT3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4003NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4170NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4003NT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4003NT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4003NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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