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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N03MSGATMA1 起订1250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N03MSGATMA1 起订1250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7588,"23+":40000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:12A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:902pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@12V

    连续漏极电流:25A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@290µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:3.5V@220µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:712pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3125
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9517}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1691
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@12V

    连续漏极电流:25A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R150G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":68398,"22+":1006,"23+":2000,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:902pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:212
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9517}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@290µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R750P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R750P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:3.5V@220µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:712pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6300
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3200
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:32000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@12V

    连续漏极电流:25A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R600E6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R600E6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500,"13+":31500,"18+":2089,"19+":4941,"20+":1800,"22+":5000,"MI+":2528}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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