品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":9,"23+":787,"MI+":316}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3467}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6002DPH-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:6.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3467}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6002DPH-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:6.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD5N25S3430ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
漏源电压:250V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:422pF@25V
导通电阻:430mΩ@5A,10V
功率:41W
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
输入电容:317pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:19A
导通电阻:45mΩ@5A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
输入电容:317pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:19A
导通电阻:45mΩ@5A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: