采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
