品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
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输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS138LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2237
规格型号(MPN):BSS84AKW,115
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:260mW€830mW
漏源电压:50V
导通电阻:7.5Ω@10V,100mA
连续漏极电流:150mA
栅极电荷:350pC@5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: