品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L015SPTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L050SNFRATL
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:150µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L220SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ400N06TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:150µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: