采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：824，"22+"：84000，"23+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2019
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：288pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：824，"22+"：84000，"23+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2019
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：288pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2019
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：288pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2019
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：288pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH1405-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
