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    包装方式: 卷带(TR)
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

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    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@4.5V

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    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:8676pF@10V

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    类型:P-Channel

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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