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    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 3.3A
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1575
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO6415 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6415 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6415

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4N01R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4N01R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1668,"10+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4N01R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1394
    onsemi Mosfet场效应管 MMDF2P02HDR2G
    onsemi Mosfet场效应管 MMDF2P02HDR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":809}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMDF2P02HDR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:588pF@16V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:160mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:237
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050LFDB-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:389pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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